光刻机未来发展瓶颈（光刻机主要技术瓶颈在哪儿）
光刻机未来发展瓶颈（光刻机主要技术瓶颈在哪儿）
9月16日，国新办举行新闻发布会，介绍中国科学院“率先行动”计划第一阶段实施进展有关情况。
在这个发布会上，中科院主要领导强调，要把美国卡脖子的清单变成我们科研任务清单进行布局，比如航空轮胎、轴承钢、光刻机；一些关键核心技术攻关成立领导小组，要求每个承担重大任务的人要签署责任状；在一些最关注的重大的领域，集中全院的力量来做。这就是中科院签订“军令状”的来由，其中光刻机受到了广泛的关注。
众所周知的原因，现在在芯片行业我们受到了美国等西方国家的封锁，造成了我国一些制造企业的困难局面，比如华为。
制造芯片最重要的设备就是光刻机。其实我国也能生产制造光刻机，也在很早的时候就开始研究，在这方面当时也和世界水平比较接近，但是光刻机的前期研究需要投入大量的资金，而且在“造不如买，买不如租”思维影响下，逐渐对于科研不太重视，光刻机研制近乎于停滞，就像当年的“运10”飞机的研制过程一样。
而当我们开始重视芯片产业，国家也投入巨资准备大力支持研发，却出现了“汉芯”造假事件，2003年上海交大微电子学院院长陈进从美国买回芯片，作为自主研发成果，消耗大量社会资源，影响之恶劣可谓空前！以至于很长一段时间，科研圈谈芯色变，严重干扰了芯片行业的正常发展。
目前上海微电子装备有限公司能量产的光刻机是65nm制程。2019年，由中国科学院光电技术研究所承担的超分辨光刻装备项目在成都通过验收，完成国际上首台分辨力最高的紫外超分辨光刻装备研制，最高线宽分辨力达到22nm。
这22nm制程的光刻机技术，应该很快就会能够量产，但是与世界主流的先进技术还是相差甚远，而且22nm的芯片，只能应用到一些不太复杂的科技产品上，比如老年手机等等。所以现在我国在光刻机这块是落后于世界先进水平好几代的。
当前光刻机技术最好的是荷兰的ASML公司，已经能够量产5nm制程的光刻机，甚至都拥有了3nm的技术。
可是因为美国的阻挠，我们根本就买不到ASML的产品，中芯国际在去年前曾经抢购到一台7nm的光刻机，钱都已经付了好多个亿，到现在都还没有收到货，可能以后也就收不到了。
硅原料、芯片设计、晶圆加工、封测，以及相关的半导体设备，绝大部分领域我国还是处于“任重而道远”的状态。
但我感觉这次不一样了，制造芯片的设备光刻机已经提升到国家层面，相关部门还立下了“军令状”，这与当年研究原子弹的情形何其相似。
我不相信先进光刻机的难度要大于原子弹，我们当初是一穷二白，完全是从零开始，不也以飞快的速度制造出来了？何况对于光刻机生产我国还是有一些基础的，只是现在还没有达到国际先进水平而已，这比当初制造原子弹的情况要好很多。
1nm就是一些原子了，现有的光刻机技术原理是有天花板的，我相信在我们的科研单位在现有理论下，应该能够很快追上世界水平，但不应仅仅局限在已有的理论中，还要展开新的理论研究，争取尽快生产出更先进的光刻机，使我们的芯片不再受到制约。
光刻机的技术十分难攻克的主要原因有两点，首先就是技术，其次是硬件。先说技术吧，现在没有哪一个国家能独立的制作出光刻机，都是分别掌握一个领域的技术，来分工合作，现在漂亮国掌握光刻机的核心技术，但是为了自己国家的利益，所以他不可能对外分享这些技术。然后在来谈谈硬件，光刻机的最主要的硬件就是镜头，这个镜头是由钼和硅制成的而这两个特殊材料也被相关国家把控的死死的，所以因为技术是缺乏材料的匮乏，是我国光刻机技术迟迟攻克不下的主要原因，
其实在早年我国就对光刻机进行过研发，但是效果甚微，而且由于当时我国的国力不强，拿不出那么多钱去搞光刻技术，所以导致了现在我国光刻技术一直比其他国家晚许多，光刻机技术直接关系到芯片，我国芯片技术大多都是靠进口，虽然近几年国家自己也研发了许多的芯片但是和其他国家芯片还是有一定的差距，当然了这是我们的短板我们要重视他，也要敢于承认，就去年华为事件，让我清楚的认识到了，我们国家光刻机的短板是多么的严重，漂亮国看见我们国家的5G技术发展的比他们迅速，让他的霸主地位受到了动摇，于是就断了我们的芯片。
确实芯片一断，让我国确实有点难受，但是我们痛定思痛，静下心来好好的研究光刻机技术，既然他们不给我们那么我们就自己造，现在国内有两家公司主要研究光刻机技术，一家是上海微电子装备公司，另外一家便是中芯国际。 虽然这两家公司具备了14NM工艺制造能力，12NM工艺制造能力也进入了测试阶段，但是漂亮国现在已经在突破5NM工艺制造能力了，说明我们还是有很长一截路要走。
我国光刻机技术发展较为落后，这也成为了漂亮国牵制我国的手段，所以我们自己要有一种危机意识，要知道虽然我国现在看似和平，其实外国对我早就虎视眈眈，我们要加大力度搞科研，发展科技，只有科技上去了，其他国家才不敢小看我们，现在清华大学光刻机的光源获得了巨大的突破，这就表明我国人才已经开始进军芯片工业，相信在不久的将来，我国一定可以摆脱芯片的限制。
光刻机封锁是连技术带产品的封锁，而且是层层的封锁，目前为止一共有三道。我国在21世纪的前二十年里已经接连突破了两道封锁线，形成了前所未有的自主攻势，毫无疑问，我国在什么时候突破第三道封锁线，决定权就在我们国内光刻机企业的手里；国外在什么时候解除第三道封锁线，主动权也在我们国内光刻机企业的手里，而到了突破或者解除的那个时候，我国光刻机大概率只会是达到世界先进水平的，还没能达到世界领先水平，即不是世界顶级的光刻机，却能以前所未有的高速度，接着突破国外又设置的第四道封锁线，向世界顶级发起冲锋。
低端和中端光刻机的封锁已经被解除了。两道封锁线都已经荡然无存了，美国和荷兰像是自动解除、提前解除封锁的，近年来让ASML连DUV中端光刻机都卖给我们国内企业那么多台了，是在我国光刻机企业还没有宣布国产中端光刻机下线消息的情况下。
看来，是由于知道我国光刻机企业已经突破了中端技术，并且已经转化为了中端产品，只是还停留在生产线上，待突破、能突破技术难关，而在下线后，对中端技术的封锁也就不解自除了。由此可知，我国光刻机企业是打破封锁的决定者，主要依靠的是自己对相关技术的突破，而美国和荷兰解除封锁则是被动的，不得不自动解除，而且只剩下供应产品这 1 个持续不了多长时间的选择了，相关技术的输入不再被需要。
我国光刻机企业基本突破高端光刻机技术并推出将很快下线的高端光刻机产品，会在未来的八年十年那时，在此之前的二三年里，美国和荷兰就会解除对高端光刻机产品的封锁。我国待突破的封锁线是第三道，是目前为止的最后一道，即对目前为止属于世界领先水平的高端光刻机技术和产品的封锁。
现在和在将来的一个时期内，我国企业买不来EUV光刻机产品，我国的光刻机企业更买不来EUV技术，这是由于美国和荷兰知道我国光刻机企业一时半会儿还不能突破相关的技术，技术转化为高端零部件直至整机的时间则是更长的，而现在不卖给EUV光刻机产品，就会让我国光刻机企业突破技术和作出产品的时间再长一些，
从而让我国需要EUV光刻机和需要高端代工、需要高端芯片的企业分别发展得慢一些、更慢一些；也是因为同时知道我国光刻机企业最终必定能够突破和作出高端光刻机的技术和产品，但心里已经习惯性地做好了在突破后、作出前再卖给产品的打算。美国和荷兰的等待是主动的，宁肯让ASML挣不到我国的钱，虽然听说ASML已经迫不及待了，而到时候让卖给产品却是被动的，无奈之下做出的唯一选择。
我国造不出光刻机，有以下三个原因：
1.因为我们的技术有限。为了阻止我们的技术发展，西方国家阻碍了一些技术进入中国。因此，这一限制将影响中国在光刻机的发展。
2.事实上，我们的许多组件的使用取决于国际市场，在这种情况下，我们很难获得国际市场的支持。
3.ASML的成功是因为其技术的局限性，更重要的是，它把一些企业当成了自己的股东，比如三星、台积电，英特尔等等。
所以在这种情况下，会发现光刻机在中国的发展并不是特别突出。正是因为光刻机的限制，中国在芯片领域的代工确实受到了很大的影响，华为不得不受到限制。因此，只有不断自主研究和开发属于我国的光刻机，才能打破这种束缚。
中国的光刻机之所以会走向落后，是因为经济发展因素、海外企业竞争力过强以及欧美国家对中国进行了技术封锁。
由于华为遭美国封杀之后，华为的芯片供应也出现了很多的问题，由于芯片的制造离不开光刻机，所以光刻机就成为了网友非常关注的东西，只不过令大家没有想到的是，中国曾在光刻机领域达到过世界先进水平。
一、经济发展的原因，导致中国在光刻机领域处于落后地位。
虽然中国当时在光刻机领域拥有着不错的技术水平，但是大部分企业在光刻机领域都无法赚得收入和利润，这导致很多企业逐渐放弃了光刻机的生产和研发，正是由于很多企业不看好光刻机的生产，所以才导致中国在光刻机领域出现了大幅度落后的情况。
二、国外企业的技术优势，使得中国的光刻机处于落后位置。
由于国外企业在光刻机领域，储备了大量的技术专利，这使得国外企业在进行光刻机生产研发时，总能够最大程度降低成本，由于国外生产的光刻机在价格上，远低于中国的国产光刻机，这使得很多芯片生产商都开始选择国外的光刻机，正是由于国外的光刻机生产企业展现出了极强的竞争力，这导致中国的光刻机领域受到了极大的冲击。
三、欧美国家对于中国的技术封锁，使得中国无法提升光刻机的技术。
虽然中国曾在光刻机领域取得了不小的优势，但是如果一直无法和国际接轨的话，那么中国在光刻机领域，也不可能取得太大的进步，再加上欧美国家对中国在光刻机领域进行了强力的技术封锁，这导致中国无法在光刻机领域吸收国外的经验和技术，由于缺少国外技术的帮助，中国在光刻机领域逐渐走向了落后。
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