国产28nm光刻胶（国内龙头高端光刻胶产品用于28nm芯片）
国产28nm光刻胶（国内龙头高端光刻胶产品用于28nm芯片）
近日，半导体领域迎来重磅消息，南大光电的ArF光刻胶取得突破，国产光刻胶终于来了！
南大光电光刻胶突破
早在5月30日，南大光电就已经发布公告称，公司自主研发的ArF光刻胶产品通过客户认证，具备55nm工艺要求。
7月2日，有报道称，南大光电的ArF光刻胶产品目前已经拿到了小批量订单。
这都在表明，国产光刻胶终于不再受制于人，而是实现国产化了。
芯片在制造过程中，除了硅这种主要材料之外，一些辅助材料也至关重要，其中有一种名为光刻胶的材料，在芯片制造过程中必不可少，然而，这个材料却长期被日本垄断，中国也在这方面一直被卡脖子。
而最近传出的一个消息，对我国半导体的发展非常不利，日本对中国供应的光刻胶出现了“断供”的现象。美国召开G7峰会后，日本宣布光刻胶断供中国，日本信越化学等光刻胶企业开始限制供应ArF光刻胶产品。
断供光刻胶，对半导体行业的人而言并不陌生，2019年日韩贸易冲突白热化，日本就断供了光刻胶，导致当时全球最大的芯片厂商三星陷入了困境之中。
虽然韩国积极向日本低头求和并开展自救，但芯片生产依然受到巨大影响，间接推动了2020年的芯片短缺。
巧妇难为无米之炊，没有了光刻胶，对于中国的晶圆厂而言是巨大的打击，芯片生产将被迫停止！
好在，光刻胶的国产化进程并不慢，日企断供短短半年时间，南大光电就已经将国产光刻胶投入市场中了。
南大光电，成立于2000年12月，是以南京大学国家863计划研究成果作为技术支持的中国高纯金属有机化合物MO源的产业化基地。
1986年，863计划启动，在高济宇院士的支持和指导下，学者孙祥祯牵头进行MO源的技术攻关。MO源是一种禁运物资，更是生产化合物半导体的源头材料，对我国国防安全、高 科技 民族工业有重要意义。
历经重重困难，孙祥祯带领的课题组终于研制出了纯度大于5.5N的多个品种的MO源，全面向国内近20家研究单位供货，缓解了我国对MO源的急求。
这项工艺不仅促进了国防工业的发展，更为国内化合物半导体材料的发展奠定了原始的基础。
孙祥祯退休后，带领年轻人创立了南大光电，注册资本3770万元，生产拥有自主知识产权的高纯金属有机化合物，是国内唯一实现MO源产业化的企业，公司的技术主要来源便是南京大学863计划中的项目。
公司主要产品有三甲基镓，三甲基铟，三甲基铝，二茂镁等十几种MO源，在产品的合成、纯化、分析、封装、储运及安全操作等方面已达到国际先进水平，产品远销日本、韩国、欧洲市场，并占有大陆70%的市场份额。
作为国内唯一将半导体光学原材料实现量产的企业，南大光电对于光刻胶可以说十分熟悉，也是最有可能突破光刻胶技术的企业。
中国半导体在崛起
光刻胶到底是做什么用的呢？
芯片生产过程中，需要用光学材料将数以万计的电路刻在小小的7nm的芯片上，而这种辅助的光学材料，就是光刻胶。
在光刻胶领域，材料主要分为四种，分别为g线、i线、KrF、ArF光刻胶，半导体工艺越高，光刻机的精度越高，照射的光线频率越高，波长越短。
光刻胶的分辨率会随着光线频率的改变而不断变化，基本的演进路线是：g线（436nm） i线（365nm） KrF（248nm） ArF（193nm） F2（157nm） EUV（
其中，ArF光刻胶的制造难度是最高的，这也是14nm/7nm芯片制造过程中不可或缺的原材料。
芯片的工艺也分等级，平板电脑、 汽车 芯片等工艺水平并不高，这各等级的芯片中国已经实现了从光刻机到芯片的完全自主化生产。真正困难的在于7nm的芯片，也就是华为遭到断供的手机芯片。
这种工艺的手机芯片，不仅需要荷兰ASML先进的EVU光刻机来生产，更需要高端的光刻胶作为辅助材料，以及大量的芯片原材料，才能成功生产出华为手机所需要的芯片。
光刻机被美国和荷兰的公司垄断，现在EVU光刻机对中国处于断供状态，中芯国际花了12亿购买的EVU光刻机至今仍未到货；
芯片原材料，虽然国内已有部分原材料实现自主生产，但是硅片、光掩模、电子特气、抛光材料、溅射靶材、光刻胶以及湿电子化学品这其中原材料完全依赖进口。
在全球光刻胶市场，日本东京应化，JSR，住友化学，信越化学等企业，掌握了全球半导体光刻胶市场的90%左右份额，几乎是垄断的状态。
方正证券的报告显示，中国大陆企业在全球光刻胶领域占有率不到13%，在半导体光刻胶领域更是不足5%，完全被日本卡了脖子！
但是，进入2021年以后，中国半导体行业国产化的趋势越来越强！
首先是光刻机领域，上海微电子已经实现28nm光刻机的量产，预计2022年可以交付，这款光刻机的性能与荷兰ASML的DVU光刻机相似，可以生产14nm制程工艺的芯片。
另外，美国虽然断供了最先进的EVU光刻机，但是制程工艺相对较低的DVU光刻机却没有断供，而荷兰ASML也明确表态过，EVU光刻机也可以用于7nm工艺芯片，英特尔的10nm工艺、台积电第一个7nm芯片，都是用DVU光刻机实现。
这意味着，2022年，现有的光刻机技术或许能够提前量产华为所需的7nm芯片，打破美国封锁。
而生产7nm工艺芯片所需要的ArF光刻胶，在7月2日就已经有国外企业向南大光电订购了，这意味着半导体光刻胶原材料也实现了自主化。
另外，南大光电，容大感光、上海新阳等国内企业，也在持续研发高端光刻胶，争取在现有技术上进一步突破，追上日本的光刻胶技术。
剩下的6种完全依赖进口的原材料，国内的企业肯定也已经发现了商机，正在朝着国产化转变；最关键的两项技术突破后，中国实现手机芯片国产化的日子也就不远了。
空谈误国、实干兴邦，中国的半导体行业，正在默默地奋力追赶，一如这次南大光电突然给市场来个惊喜一样，未来还将会看到更多的一鸣惊人的突破。
中国半导体，正在以惊人的速度崛起！
作者 | 金莱
一直以来，半导体行业都是国内产业生产的薄弱之处，很多技术都依赖于外企。
像EUV光刻机、芯片核心制造技术以及高端光刻胶等方面，但同样我们在芯片设计、封测技术等方面也占据了世界前列的位置。
如今，随着局势的变化，华为因芯片断供产生的后续影响已经初步显现，它让国产其他相关企业认识到只有自己掌握了核心技术才能避免在这些方面受到技术上的"卡脖子"。
11月13日，根据新浪 财经 最新报道，国内光刻胶领域迎来好消息，对于国内7nm芯片制造或可迎来重大突破。消息显示，国内宁波南大光电材料有限公司已正式宣布，首条ArF光刻胶生产线已经正式投入生产，预计项目完成后年销售额达10亿元。
目前该公司已经将生产出来的ArF光刻胶样品送至客户手中进行测试，如果测试成功，那么该公司将迎来更多ArF光刻胶方面的订单。
或许有小伙伴不太了解ArF光刻胶。
光刻胶在芯片生产中起到很关键的作用，可以说它是集成电路产生制造中的核心材料，对于芯片最终呈现的质量和性能方面都有很大的影响，因而光刻胶的成功对于生产制造芯片也有很大的帮助。
目前来说，虽然国内不乏有主营光刻胶的企业，但在ArF光刻胶这样的高端种类却几乎100%依赖于外企，而ArF光刻胶在对于28nm-7nm工艺芯片的生产起到至关重要的作用，因而可以说这一次在ArF光刻胶上的突破也预示着在7nm芯片制造上迎来突破！
根据资料显示，目前高端光刻胶主要集中于美企和日企手中，所占份额达全球光刻机份额的95%，而这一次宁波南大光电材料有限公司在ArF高端光刻胶中的突破也预示着国产半导体的逆势崛起，将打破美日企业在高端光刻胶领域上的垄断。
不过，想要避免外资企业在技术上的垄断，光靠一家公司明显后劲不足，但就如今的发展趋势来说，目前国产半导体相关企业已经纷纷在各自的领域中寻找突破之路。
上海微电子、上海华虹半导体、晶瑞股份等公司在芯片生产工艺上以及光刻机上等方面寻求突破口，照这样的趋势发展，未来国产半导体行业将迎来新生！
; 在新能源飞速发展和产品智能化的大背景下，高科技进入蓬勃发展阶段，所有高科技产品最不可或缺的核心部件就是芯片了。作为以智能手机为主要业务的
华为
，对芯片的需求量更是巨大。
大家都知道生产芯片最重要的器械就是
光刻机
，但由于受到来自
漂亮国
的制约，“实体清单”规则被修改后，
ASML
因为生产光刻机的技术有一部分来自于漂亮国，受此影响，连带着芯片代工厂也无法为华为公司提供芯片代工服务。
华为现在最先进的芯片是采用台积电5nm工艺制作的
麒麟9000芯片
，但随着“限制令”的制约，
麒麟9000
芯片的库存正在一天一天减少，在无法获得5G芯片的情况下，华为只能采用
高通
的4G芯片，没有
5G
芯片的支持，华为的5G手机只能当成4G来用，也因此，华为的手机业务受到了重创。
事实上，不仅是华为，我国其他高科技企业现在都处于“缺芯”状态。如果要解决“缺芯”难题，首先我们就要解决光刻机的自产自研问题。
中科院
立功了
为了实现我国高端光刻机的国产化，中科院长光所、上光所联合光电研究院在2009年，启动了“高NA浸没光学系统关键技术研究”，进行高端光刻机的攻坚。该项目于2017年在长春国科精密验收，曝光光学系统研发核心的骨干人员也在同年间转入长春国科精密继续钻研光刻机技术难题。
在此之后，国望光学引入
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
，以及
上海光学精密机械研究所
推动国产光刻机核心部件生产。在2016年，国望光学研发出90nm节点的ArF投影光刻机曝光光学系统，之后将继续向28nm节点ArF浸没式光刻曝光学系统研发进攻。
长春国科经济在2018年也传来好消息，攻克了高NA浸没光学系统的关键技术研究。这也是我国实现完全拥有自主知识产权的高端光刻机曝光光学系统的标志。这些成就的达成都离不开中科院的技术支持，可以说中科院立了大功了。
为什么要花费那么大的精力去研发曝光光学系统呢?这对光刻机的制造很重要吗?这我们就要从光刻机的工作原理说起了。光刻机又叫掩模对准曝光机，它的工作原理简单地说类似于照片冲印的技术。
光刻的过程就是在制作好的硅圆晶表面涂上一层光刻胶，然后通过紫外线或深紫外线透过
掩膜
版，把上面的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上，在
光刻胶
的覆盖下，这些被光线照射到的部分会被腐蚀掉，而没有被照射到的部分就会被保留下来，形成我们所需要的电路结构。所以曝光系统可以说是光刻机的核心组成之一。
国产光刻机正式传来好消息
根据国望光学在发出的公示，
投影光刻机曝光光学系统将应用于28nm芯片的批量生产当中。
在这之前，我国只能制造出用于90nm制程的光刻机，但随着这两项技术的突破，我国对于28nm光刻机制程实现了突破性的进展。
28nm芯片有着比90nm芯片更加优越的性能，用途也更加广泛，尤其是对于新能源产业，如新能源汽车或者智能家居产业填补了对于28nm芯片缺失的空缺。
此外，根据媒体消息，上海微电子也做出披露，在2021到2022年将会交付出第一台28nm工艺的国产沉浸式光刻机。这表明我国完全能实现28nm芯片自由。拥有完整的知识产权和自主产业链，就无畏海外市场在芯片上对我们“卡脖子”了。
虽然28nm芯片已经能满足大部分的生产需求，但是对于华为这些手机厂商和其他一些国产芯片来说，28nm的精度还是不够用的，接下来我国的下一步目标便是进行5nm制程光刻机的攻克，手机对于芯片的精度要求要更高，所以目前我国还是不能停下研发的脚步。
虽然目前我国还没研发出5nm制程的光刻机，但已经可以制造出5nm制程的刻蚀机了，这对于我国芯片发展也是一个鼓励性的好消息。
成果是喜人的，但如果拿来与世界上最先进的7nm制程光刻机比的话还是远远不够的，国产化光刻机的道路还要走很远。
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美国对芯片半导体行业展开一轮又一轮的行动，表面上是针对某家企业，但仔细观察就会发现，芯片代工厂台积电也因此失去了很多重要客户。包括众多供应商面临无法出货的情况，导致市场份额受损。
所以芯片规则是相互的，没有人能够置身事外。由于芯片规则，再加上全球公共卫生事件的爆发，一时间芯片紧缺成为了主旋律。芯片行业遭受了史无前例的变局，为了早日恢复芯片市场秩序，台积电展开了一系列的扩产计划。
比如将在南京投资28亿美元，加大28nm成熟工艺芯片产能。
台积电的大陆扩产计划受到一定的质疑，认为台积电在大陆扩产28nm，会挤压大陆芯片制造厂商的市场份额。
实际上在普遍缺芯的情况下，市场无法在短时间内填补。台积电的扩产可以起到一定的缓解作用。为大陆市场提供所需芯片，不过台积电大陆扩产28nm恐怕没那么顺利。
美国又盯上了28nm，台积电，联华电子等岛内芯片制造商在大陆的扩产都受到了阻力。
在过去的一年内，美国多次行动，已经给芯片行业带来较大的破坏。原本繁荣，稳定的芯片供应链在失去某些企业后，至今也没有恢复状态。不过美国并不打算就此收手。
据业内传来消息，台积电，联华电子在大陆扩产28nm的设备没有获得美国的供应许可。因为台积电等厂商想要在大陆扩产28nm需要从海外购买相应的设备，而这些设备大多数是来自美国供应商，或者用上了美国技术。因此给不给用，对方说了算。
另外，台积电若想要将岛内的设备运送至大陆生产芯片，也要获得美国的许可。
需要知道的是，28nm所属的成熟工艺制程需求比高端5nm还要大。中国大部分的消费市场都集中在成熟工艺范围，而28nm在其中又被广泛运用。所以台积电，联华电子以及中芯国际选择扩建28nm生产线，是有原因的。
这部分的市场前景和需求都非常高，随着中国消费市场的发展，各大巨头都开始扩展相关业务。
美国连28nm也要卡，面对这类主流的成熟工艺，美国再次阻碍台积电等厂商的扩产行动。
没完了？美国接二连三的行动，什么事情几乎都想要掺一脚。对方之所以无所顾忌，实际上在于掌握了基础的核心技术。美国技术遍布芯片行业，想要避开，就需要从根源上出发，调整供应链体系，打造属于国产化的芯片产业。
美国限制台积电在大陆采购成熟工艺芯片制造设备，行动目标不只是台积电，更是要阻碍大陆28nm成熟工艺市场的发展。
因为这部分的市场中国大陆制造商可以顺利参与，等将来形成足够的市场体系，并进一步扩大国际影响力，量变也会引起质变。
美国没完没了，一次又一次的行动，国产芯必须实现自给自足。加快核心技术的研发，提升国产供应链的实力，用自主供应替代国外技术，只有这样，才能打破国外的限制。
美国在28nm展开行动，只要努努力，中国打造纯国产28nm供应链并非不可能。在28nm制程领域，中芯国际已经实现了14nm的量产，更别说28nm了。
还有上海微电子也传来年底交付28nm光刻机的消息，中国电子 科技 集团旗下装备集团攻克了关键技术，离子注入机实现28nm制程的全谱系产品国产化。还有晶瑞股份也在加快28nm高端光刻胶的研究。
这一系列聚焦28nm的研发攻克，都势必打破国外垄断，美国想要卡脖子，只会让中国加速崛起。
对此，你有什么看法呢？
为了应对美国的芯片禁令，国内市场的那些被美系技术所垄断的设备、材料入手，展开了有针对性的破局行动。
在中科院、清北高校等顶尖科研机构以及华为等先进 科技 企业的团结努力下，被美企垄断的 蚀刻机 、 离子注入机 、 薄膜生长材料 、 抛光清洗机 等关键设备材料，先后被中微半导体、中国电科等国产企业突破。
就连ASML认为我们造不出的光刻机，也传来了好消息。
上海微电子自研的光刻设备已经来到了28nm精度，且完成了技术检测与认证， 预计年底便可下线商用 。继清华大学突破EUV光源技术之后，中科院旗下的上海“光机所”，也熟练掌握了可以有效提升光刻分辨率的OPC技术。
或许目前我们拥有的设备技术不如老美的好看好用，但用来应付垄断，却可以堪当大任 。
随着国内市场“去美化”步伐的提速， 万众瞩目的“中国芯”终于迎来了开花结果 。
电子信息研究院温晓君已正式表态： 国产28nm芯片将于今年实现量产，14nm芯片会在2022年进入国内市场。
在中低端领域逐渐站稳脚跟的国产芯片，接下来必然会快速地向高端领域进军，突破老美的封锁指日可待。
然而，谁曾想到，在这关键时刻，却又跳出来了个落井下石的小丑， 给国产芯片一片光明的突围之路增添了未知的变数 。
据外媒报道，日本方面做出断供我国市场高端光刻胶的决定，而它的越信化学公司，已经正式对外宣布，将不再计划向中企出手Krf光刻胶。
光刻胶是芯片制造不可或缺的材料，在该领域， 日本越信化学公司一直是业内核心，占据了全球约90%的市场份额 ，全球除了它之外，也只有老美能勉强在高端光刻胶领域做到自给自足。
日本的突然断供，可谓是给了正在全力突围老美封锁的国产芯片一记闷棍 。
不过换个角度来看，既然我们意在打造一条自主可控的半导体产业链，那么 潜在的问题和对手能够早些浮出水面并不是一件坏事 。这或将让我们重新审视破冰的方向，若不想再被“卡脖子”， 仅仅是“去美化”还不够，实现“国产化”才是正确的路 。
尤其是对于日本， 历史 的烙印永远无法抹去。除了光刻胶断供一事，近期索尼公司的辱华事件，更是值得所有人警醒。
笔者虽位卑，但未敢忘忧国。在无数国人高喊让索尼滚出中国的同时，包括光刻胶领域在内，我们也该跟它做个了断了！
令人振奋的是， 国产企业没有让我们失望，继南大光电突破Krf光刻胶核心技术后，上海新阳则更进一步 。
据公开资料显示，上海新阳已经完成了对高端光刻胶的开发，目前处于商用测试阶段。从布局规划来看， 如果顺利的话，国产高端光刻胶于2022年便可实现小批量销售，2023年便可大规模量产 。
在光刻胶的研发上，国产企业正在加速完成对日本企业的替代。
这样的好消息实在是解气。笔者个人认为，国内市场无论有求于谁，都坚决不能有求于日本。
国产半导体产业的图强和发展固然重要，但更重要的是，前辈们用血和肉捍卫的民族尊严坚决不容触碰。
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